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[发明专利]半导体装置和检测半导体装置的特性退化的方法-CN201010295658.1无效
发明人：深海郁夫 -专利权人：瑞萨电子株式会社
申请日： 2010-09-21 - 公布日： 2011-04-27 - 主分类号： H03K19/007 文献下载
摘要：本发明涉及半导体装置和检测半导体装置的特性退化的方法。半导体装置(IPD)包括：设定值存储单元，该设定值存储单元存储基于半导体装置的初始特性值确定的设定值；和检测器，该检测器基于规定时刻的半导体装置的特性值和存储在设定值存储单元中的设定值来检测半导体装置的特性退化此外，检测半导体装置(IPD)的特性退化的方法包括：存储基于半导体装置的初始特性值确定的设定值；并且基于规定时刻的半导体装置的特性值和存储的设定值来检测半导体装置的特性退化。
半导体装置检测特性退化方法

[发明专利]半导体装置-CN201611159323.0有效
发明人：织田真也;德田梨绘;神原仁志;河原克明;人罗俊实 -专利权人：株式会社FLOSFIA
申请日： 2016-12-15 - 公布日： 2021-06-01 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体特性和肖特基特性优异的半导体装置。该半导体装置至少具备：含有具有刚玉结构的结晶性氧化物半导体作为主成分的半导体层，以及上述半导体层上的肖特基电极，形成上述肖特基电极时，通过使上述肖特基电极含有元素周期表第4族～第9族的金属，能够在不损害半导体特性的情况下制造半导体特性和肖特基特性优异的半导体装置，并将所得半导体装置用于功率器件等。
半导体装置

[发明专利]半导体器件失配特性的检测结构及检测方法-CN201110319213.7有效
发明人：甘正浩;黄威森 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2011-10-19 - 公布日： 2013-04-24 - 主分类号： H01L23/544 文献下载
摘要：一种半导体器件失配特性的检测结构及检测方法，其中，所述半导体器件失配特性的检测结构包括：半导体衬底，位于半导体衬底表面的若干相同的半导体器件，所述半导体器件等角度地围成至少一个圆环。由于所述半导体器件失配特性的检测结构中的半导体器件具有不同的摆放角度，通过对比不同摆放角度半导体器件的差值或标准差，判断在半导体晶圆上不同的摆放角度对半导体器件失配特性的影响，从而获得制作工艺、半导体晶片对半导体器件的电学参数失配所造成的影响，从而为设计者设计集成电路版图时半导体器件的最佳摆放位置提供帮助，并且为减小制造过程中造成的MOS晶体管失配特性提供参考。
半导体器件失配特性检测结构方法

[发明专利]指导半导体制造过程的方法和电子设备-CN202010876227.8在审
发明人：金宰浩;白康铉;李光熙;全镕宇;权义熙;金润硕 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2020-08-27 - 公布日： 2021-03-05 - 主分类号： G06F30/27 文献下载
摘要：一种指导半导体制造过程的方法包括：接收与目标半导体产品对应的半导体制造过程数据；通过使用技术计算机辅助设计(TCAD)模型来生成与半导体制造过程数据对应的第一半导体特性数据，该TCAD模型是基于包括TCAD模拟数据的训练数据通过机器学习进行训练的；通过使用紧凑模型来生成与半导体制造过程数据对应的第二半导体特性数据，该紧凑模型是基于第一半导体产品的至少一个半导体特性的测量信息来生成的；基于第一半导体特性数据和第二半导体特性数据，通过使用多个对策模型生成分别与多个对策参考对应的多个过程策略；以及基于多个过程策略提供与目标半导体产品对应的最终过程策略。
指导半导体制造过程方法电子设备

[发明专利]一种半导体功率器件特性的版图结构仿真设计方法-CN202310327368.8在审
发明人：杨彪 -专利权人：深圳信创产业发展有限公司
申请日： 2023-03-30 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： G06F30/392 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体功率器件特性的版图结构仿真设计方法，包括基于半导体功率器件特性，确定特性参数；构建半导体功率器件的初始三维模型，并给予正交试验，通过特性参数对初始三维模型中的不同元器件进行仿真模拟，并判断是否符合特性参数；当元器件的仿真参数不符合特性参数时，进行元器件替换；当所有器件的仿真参数均符合对应特性参数时，生成半导体功率器件三维仿真版图。本发明的有益效果在于：本发明能够在半导体功率器件的仿真设计上进行处理，对半导体功率器件的特性进行分析，对设计过程中不合理的或者无法达到半导体功率器件设计参数和器件特性的地方进行修改，防止半导体功率器件不符合设计的预期要求
一种半导体功率器件特性版图结构仿真设计方法

[发明专利]一种半导体器件模型的构建方法及系统-CN202310335098.5在审
发明人：孙锴;梁超越;贾涵博;申英俊;吴旦昱;刘新宇 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2023-03-31 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： G06F30/367 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件模型的构建方法及系统，该方法通过测试待构建模型的半导体器件在不同条件下的输入输出，得到多组输入输出I‑V数据，提取在不同条件下的输入输出I‑V数据中的饱和区数据、线性区数据，以及饱和区和线性区的分界点数据，并分别构建转移特性公式、线性区输出特性公式和饱和区输出特性公式；基于转移特性公式、线性区输出特性公式和饱和区输出特性公式构建半导体器件对应的半导体器件模型。通过将数据拟合引入了半导体器件建模领域，仅通过拟合半导体器件测试数据对半导体器件的输入输出I‑V特性进行描述，进而构建准确的半导体器件模型的目的。
一种半导体器件模型构建方法系统

[发明专利]半导体装置及制做方法-CN00100755.6有效
发明人：桑原治;若林猛;三原一郎 -专利权人：卡西欧计算机株式会社
申请日： 2000-02-03 - 公布日： 2000-08-23 - 主分类号： H01L23/28 文献下载
摘要：一种半导体装置,包括一半导体基片;在该半导体基片上形成的多个凸缘电极;及在相邻的凸缘电极之间的所述的半导体基片上形成的一密封膜,所述密封膜的一预定特性在其厚度方向上不同以使接近于该半导体基片的一部分中的该密封膜的特性比远离于该半导体基片的一部分中的该密封膜的特性更接近于该半导体基片的特性
半导体装置制做方法

[发明专利]半导体装置及制造半导体装置的方法-CN201210078793.X有效
发明人：本田达也;小俣贵嗣;野中裕介 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2012-03-23 - 公布日： 2017-08-15 - 主分类号： H01L29/04 文献下载
摘要：本发明涉及半导体装置及制造半导体装置的方法。一个目标是通过使用具有稳定电气特性的氧化物半导体膜来提供具有稳定电气特性的高度可靠的半导体装置。另一个目标是通过使用具有高结晶性的氧化物半导体膜来提供具有较高迁移率的半导体装置。结晶氧化物半导体膜是在其表面粗糙度减小了的绝缘膜之上形成并与之接触，由此氧化物半导体膜可以具有稳定的电气特性。相应地，可以提供具有稳定的电气特性的高度可靠的半导体装置。另外，可以提供具有较高迁移率的半导体装置。
半导体装置制造方法

[发明专利]半导体装置及制造半导体装置的方法-CN201710578536.5有效
发明人：本田达也;小俣贵嗣;野中裕介 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2012-03-23 - 公布日： 2021-01-15 - 主分类号： H01L29/04 文献下载
摘要：本发明涉及半导体装置及制造半导体装置的方法。一个目标是通过使用具有稳定电气特性的氧化物半导体膜来提供具有稳定电气特性的高度可靠的半导体装置。另一个目标是通过使用具有高结晶性的氧化物半导体膜来提供具有较高迁移率的半导体装置。结晶氧化物半导体膜是在其表面粗糙度减小了的绝缘膜之上形成并与之接触，由此氧化物半导体膜可以具有稳定的电气特性。相应地，可以提供具有稳定的电气特性的高度可靠的半导体装置。另外，可以提供具有较高迁移率的半导体装置。
半导体装置制造方法

[发明专利]一种制造过程中预测半导体装置的电气参数的方法及系统-CN201610216851.9在审
发明人：杨荣 -专利权人：天津中仪博通科技有限公司
申请日： 2016-04-10 - 公布日： 2016-08-24 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明公开了一种在半导体装置制造过程中预测该半导体装置(200)的电气参数的方法。提供与该半导体装置(200)相关的初始特性值的向量(124)，用所收集的特性值的至少一个子集更新该向量(124，126)。根据该更新向量(124，126)模型化该半导体装置(200)的至少一个电气特性。一种包括数据存储器(90)以及预测单元(130)的系统(10)。数据存储器(90)配置用来储存在半导体装置(200)的制造期间所收集的半导体装置(200)的特性。预测单元(130)配置用来提供关于半导体装置(200)的初始特性值的向量(124)、以收集的特性的至少一个子集更新向量(124，126)，以及根据更新向量(124，126)模型化半导体装置(200)的至少一电气特性
一种制造过程预测半导体装置电气参数方法系统

[发明专利]在制造过程中预测装置的电气参数的方法及系统-CN03819926.2有效
发明人： M·L·米勒;C·A·博德 -专利权人：先进微装置公司
申请日： 2003-07-09 - 公布日： 2005-10-05 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：一种在半导体装置制造过程中预测该半导体装置(200)的电气参数的方法。提供与该半导体装置(200)相关的初始特性值的向量(124)，用所收集的特性值的至少一个子集更新该向量(124，126)。根据该更新向量(124，126)模型化该半导体装置(200)的至少一个电气特性。一种包括数据存储器(90)以及预测单元(130)的系统(10)。数据存储器(90)配置用来储存在半导体装置(200)的制造期间所收集的半导体装置(200)的特性。预测单元(130)配置用来提供关于半导体装置(200)的初始特性值的向量(124)、以收集的特性的至少一个子集更新向量(124，126)，以及根据更新向量(124，126)模型化半导体装置(200)的至少一电气特性
制造过程预测装置电气参数方法系统

[发明专利]一种扫描电镜半导体纳米线光机电耦合特性原位表征方法-CN202011140872.X有效
发明人：曲钧天;张震 -专利权人：清华大学
申请日： 2020-10-22 - 公布日： 2021-08-31 - 主分类号： G01N23/2251 文献下载
摘要：本发明涉及一种单根半导体纳米线原位表征方法，尤其涉及一种在扫描电子显微镜中应用的单根半导体纳米线光机电耦合特性原位表征方法。本发明方法在扫描电镜中的建立了单根半导体纳米线光机电耦合特性原位表征系统，可开展四种类型的半导体纳米线耦合特性原位表征：1)光电耦合特性原位表征，2)光机耦合特性原位表征，3)机电耦合特性原位表征，4)光机电耦合特性原位表征。本发明优点在于：在扫描电镜中一体化集成了半导体纳米线的光学、机械和电学表征器件，建立了高效的单根半导体纳米线光机电耦合特性原位表征系统，可以灵活适应不同类型的半导体纳米线耦合特性原位表征需求，操作简单、
一种扫描电镜半导体纳米机电耦合特性原位表征方法

[发明专利]预测半导体器件的特性的方法和执行该方法的计算装置-CN202210866060.6在审
发明人：禹率娥;吉光柰;朴世荣;李宗昡 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-07-22 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： G06F30/33 文献下载
摘要：公开了一种预测包括在目标半导体产品中的半导体器件的特性的方法和计算装置。为了预测半导体器件的特性，使用技术计算机辅助设计(TCAD)仿真器生成与输入数据和仿真结果数据的组合对应的基本训练数据。TCAD仿真器通过基于TCAD仿真器的输入数据执行仿真来生成仿真结果数据，使得仿真结果数据指示与TCAD仿真器的输入数据对应的半导体器件的特性。基于基本训练数据训练深度学习模型，使得深度学习模型被配置为输出指示半导体器件的特性的预测数据。基于深度学习模型和与目标半导体产品对应的输入数据来生成目标预测数据，使得目标预测数据指示包括在目标半导体产品中的半导体器件的特性。
预测半导体器件特性方法执行计算装置

[发明专利]半导体装置分拣系统及半导体装置-CN201811152212.6在审
发明人：横山脩平;长谷川真纪;中村宏之;森茂;岩上彻 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2018-09-29 - 公布日： 2019-04-12 - 主分类号： B07C5/344 文献下载
摘要：目的在于提供能够使半导体装置具有表示多个电气特性的信息的技术。半导体装置分拣系统(10)具有：特性测定部(4)，其对半导体装置(1)的电气特性进行测定；等级判别数据库(2)，其用于将电气特性分类成等级；运算部(3)，其将由特性测定部(4)测定出的半导体装置(1)的多个电气特性参照等级判别数据库(2)分别分类成多个等级；写入部(5)，其将由运算部(3)分类出的多个等级变换成图形符号代码，将该图形符号代码形成于半导体装置(1)；读取部(6)，其从形成于半导体装置(1)的图形符号代码读取多个等级；以及分拣部(7)，其基于由读取部(6)读取到的多个等级而对半导体装置(1)进行分拣。
半导体装置电气特性读取图形符号特性测定部等级判别分拣系统运算部分拣分类数据库代码读取等级变换写入部

[发明专利]有刻面的半导体纳米线-CN201410092534.1有效
发明人：程慷果;李俊涛;章贞;朱煜 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2014-03-13 - 公布日： 2018-07-17 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明涉及有刻面的半导体纳米线。在半导体鳍上进行半导体材料的选择性外延以形成半导体纳米线。半导体纳米线的表面包括非水平且非垂直的刻面。可以在所述半导体纳米线之上形成栅电极，以使得有刻面的表面可以用作沟道表面。有刻面的半导体纳米线的外延沉积部分可以向沟道施加应力。此外，在有刻面的半导体纳米线上形成栅电极之前，可以添加另外的半导体材料以形成所述有刻面的半导体纳米线的外壳。半导体纳米线的有刻面的表面提供了良好限定的载荷子输运特性，该载荷子输运特性可以有利地用于提供具有受到良好控制的器件特性的半导体器件。
半导体纳米线半导体材料输运特性载荷子栅电极半导体器件选择性外延半导体鳍沟道表面器件特性外延沉积非垂直非水平沟道刻面施加

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